温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：提供第一衬底，并在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β
...
该专利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑶芯微电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。