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本发明公开了一种HEMT器件及其制备方法，制备方法包括：制备衬底结构；在所述衬底结构上制备第一介质层；光刻所述第一介质层，然后刻蚀所述第一介质层以形成第一开口；在所述第一介质层和所述第一开口上制备第二介质层，同时在所述第一开口处形成第二开口...
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