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本发明公开了一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构，包括：存放腔体，加热腔，操控室，生长炉体，气体控制系统以及尾气处理系统，存放腔体，包括有顶壁、及侧壁，顶壁开设有圆通口，存放腔体内容设有炉底盖、及升降装置，炉底盖设有上开口，升降装置是...
该专利属于中芯研（江苏）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯研（江苏）半导体有限公司授权不得商用。

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