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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相邻的隔离区和有源区，所述基底包括衬底和位于衬底表面的鳍部；在所述有源区上形成第一伪栅极结构，所述第一伪栅极结构横跨所述鳍部表面，且所述第一伪栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁表面；在...
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