温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种操作固定射束离子注入器的方法，以在半导体晶片中执行离子注入，所述操作固定射束离子注入器的方法包含：　　　　通过以机械方式横越正常射束路径扫描所述半导体晶片来执行注入通过，所述正常射束路径由被多个射束线组件的各自操作参数的各自第一值确定的...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。