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本发明公开了一种低接触电阻高Al组分氮化物及其制备方法，该氮化物器件包括：衬底、依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层，以及位于势垒层远离衬底一侧的钝化层、源电极、漏电极和栅电极；其中，源电极和漏电极，源电极和漏电极相对设...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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