下载基于光固化技术制备孔隙梯度Si3N4基陶瓷材料的方法的技术资料

文档序号:31482715

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本发明公开一种基于光固化技术制备孔隙梯度Si3N4基陶瓷材料的方法,属于3D打印技术领域,首先通过预处理对氮化硅粉体改性,降低粉体的吸光度与折射率,提高料浆固含量,以及成型件的精度;其次使用BN粉与有机聚硅氮烷裂解物对各层间材料的成分进行优...
该专利属于航天特种材料及工艺技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过航天特种材料及工艺技术研究所授权不得商用。

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