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本发明公开了一种多孔硅碳或多孔锗碳材料的制备方法及用途，涉及材料学技术领域。所要解决的问题是提供了一种高比容量以及良好的循环稳定性和倍率性能的复合电极材料以及经济可行的制备工艺。以Li、Si、Zn或Li、Ge、Zn为原料，通过感应熔炼和气雾...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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