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一种上转换器件及其制造方法技术
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文档序号:31481092
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本发明公开了一种上转换器件及其制造方法,包括:由下至上依次设置的基底、第一电极、介电层以及第一中间层,设置于第一中间层上的第二中间层和载流子产生层,从下至上依次设置于载流子产生层上的空穴传输层、发光层、电子传输层以及第三电极;其中,第一中间...
该专利属于鹏城实验室所有,仅供学习研究参考,未经过鹏城实验室授权不得商用。
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