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本发明提供一种GaN基HEMT器件及其制备方法，在衬底上先形成外延结构及SiN钝化保护层，而后形成源极区及漏极区，及对应的源电极及漏电极，之后去除SiN钝化保护层，并进行表面清洗后，再采用原子层沉积及等离子退火工艺形成单晶AlN势垒层，以调...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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