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本发明公开了一种集成混合材料的高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过利用石墨烯材料作为导电通道代替传统的异质界面2DEG,实现超高速的电子迁移和导电速率，采用金属半导体接触的肖特基势垒作为栅电源控制整个晶体管的开关，采用碳化硅(SiC)或者硅...
该专利属于西安瑞芯光通信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安瑞芯光通信息科技有限公司授权不得商用。

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