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本发明提供一种随机存储器磁旋存储芯片的制备方法，包括完成底电极后，采用金属沉积的方式制备SOT层；采用光刻及刻蚀方式制备凹槽；进行自由层的薄膜沉积及化学机械研磨进行表面平坦化；之后进行磁性遂穿结构的参考层和隔离层的薄膜沉积；顶层电极的制备。...
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