温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种吸收增强型硅基光电探测器及其制备方法，包括SOI衬底、波导以及SOI衬底上的光电探测器，光电探测器包括P型接触层、吸收层、N型接触层以及位于P型接触层和N型接触层之上的金属电极；所述SOI衬底从下至上为背衬底硅层、压应变氮化...
该专利属于杨荣所有，仅供学习研究参考，未经过杨荣授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。