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本发明涉及一种基于铁电PN结的光电器件及其制备方法，包括基板；位于所述基板上形成PN结的铁电半导体材料层和光敏材料层，其中所述铁电半导体材料层和与所述光敏材料层在竖直方向上部分重叠并在接触面上形成PN结；第一电极和第二电极，分别与所述铁电半...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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