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本发明公开了一种气体与压力复合传感器及其制备方法,此传感器包括基片和键合片,所述基片的正面设有P型掺杂区,所述基片正面的预定区域淀积有气敏电阻、测温电阻和加热电阻,所述基片的背面制备有应变腔体,所述应变腔体的位置与基片正面的预定区域相对应,...该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种气体与压力复合传感器及其制备方法,此传感器包括基片和键合片,所述基片的正面设有P型掺杂区,所述基片正面的预定区域淀积有气敏电阻、测温电阻和加热电阻,所述基片的背面制备有应变腔体,所述应变腔体的位置与基片正面的预定区域相对应,...