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本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供堆叠的衬底、浮栅多晶硅层和第一氮化硅层，其中，所述衬底上形成有沟槽；形成OON层和阻挡层；在所述沟槽内沉积钨层；对所述钨层执行回刻工艺；以及执行至少N轮钨沉积工艺、钨回刻工艺，以在所述沟槽内得到第...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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