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本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥ＲＦ ＭＥＭＳ开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜（同时也是上电极）组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗，减小ＲＦ ...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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