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本发明公开了一种在硅上制作垂直腔面发射激光器阵列的方法，所述方法包括：在硅衬底上外延生长缓冲层之后，利用氮化硅或二氧化硅介质薄膜作为掩膜，用来定义后续外延生长的VCSEL的尺寸和形状，以及缓解大面积薄膜外延时由热膨胀系数失配导致的薄膜开裂和...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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