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本发明公开了一种纯相高性能CsPbBr3太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底；在FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层，获得FTO/TiO2基底；在TiO2电子传输层上形成CsPb2Br5二维钙钛矿薄膜，...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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