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本专利申请涉及包含氧化物半导电材料的晶体管，且涉及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法。一种晶体管包括下部接触结构、沟道结构、介电填充结构和上部接触结构。所述下部接触结构包括第一氧化物半导电材料。所述沟道结构接触所述下部接触结构并且包...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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