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化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统用于以合理的高去除速率抛光低k或超低k膜，同时以相对低的去除速率抛光氧化物和氮化物膜。该组合物使用5磨料、化学添加剂以提高低k或超低k膜的去除速率并抑制氧化物和氮化物膜的去除速率，以实现高选择性...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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