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本发明涉及制作半导体装置的沟槽结构的干式蚀刻方法。所述干式蚀刻方法包括以下步骤：步骤1：提供半导体基材。半导体基材上设置有图案化的光阻层且放置于反应腔室。步骤2：引入第一蚀刻气体至反应腔室以进行第一蚀刻方法，而形成沟槽。第一蚀刻气体包括六氟...
该专利属于台湾奈米碳素股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾奈米碳素股份有限公司授权不得商用。

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