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本发明公开了一种阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上方为第一N型深阱、第二N型深阱和P型衬底外延层P-EPI；第二N型深阱上有N阱；P型衬底外延层P-EPI上有第二P阱；第二P阱内设有第二P...
该专利属于湖南静芯微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南静芯微电子技术有限公司授权不得商用。

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