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本发明的目的在于提供一种薄片磁体的制造方法，作为铸造状态，呈现２．５ｋＯｅ或以上的内禀矫顽力ｉＨｃ和９ｋＧ或以上的剩余磁通密度Ｂｒ，其呈现的性能－价格比可与硬磁铁氧体比拟，呈现具有７０－５００μｍ厚度的微晶结构，所以可使磁路更小和更薄。通过...
该专利属于住友特殊金属株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友特殊金属株式会社授权不得商用。

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