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本申请公开了一种高纯碳化硅源粉制备方法，包括：高纯碳粉提纯步骤：在抽真空环境下，将高纯碳粉在石墨坩埚中进行高温煅烧，煅烧完成后，停止加热，通入保护气体进行降温，得到提纯后的碳粉；高纯硅熔融步骤：将高纯硅放置在含有保护气体氛围的石英坩埚内部进...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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