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本发明公开了一种单层电容器及其制备方法，包括：所述单层电容器包括陶瓷介电层和金属保护层；所述陶瓷介电层边缘延伸至金属保护层外，外延部分形成支撑体；所述陶瓷介电层上表面和下表面分别设置上电极和下电极，两者配合形成沟道结构；所述沟道结构与金属保...
该专利属于江门市东有科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江门市东有科技有限公司授权不得商用。

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