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本发明涉及一种形成磁性随机存储器（ＭＲＡＭ）的方法以及由此得到的结构，该磁性随机存储器采用了位于存储单元（１０）顶上的牺牲性的盖帽层（２０）。多个带有盖帽层（２０）的单独磁性存储器件（１０）在基板上形成。连续的第一绝缘层（２０，２２）沉积在...
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