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本发明公开了一种多结型锗基长波红外探测器及制备方法，所述探测器由锗基底、电极区、吸收区、阻挡区、引线电极和钝化层组成，制备方法包括四个步骤，即通过光刻、离子注入、快速退火、薄膜淀积和干法刻蚀等工艺在高阻锗基底上依次形成吸收区、电极区、钝化层...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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