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本发明实施例涉及晶体管技术领域，公开了碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管及晶体管制造方法。本发明实施例提供的碳纳米管薄膜悬空的场效应晶体管包括基底；位于基底上的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的第一源极、第一漏极；位于第一源极、第一漏极上的碳纳米管...
该专利属于中国科学院包头稀土研发中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院包头稀土研发中心授权不得商用。

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