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磁存储单元与其制造方法。采用与自由层大小不同的铁磁下电极固定层，由于较为宽大的磁性下电极，可以产生较佳均匀性的外露磁场，使得自由层的边缘处（Ｅｎｄ　　Ｄｏｍａｉｎ）区域极化向量分布正常，达到较佳的翻转特性。上述工艺亦可使用自对准的工艺方式达...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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