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本发明公开了高熵氧化物扩散障薄膜及其制备工艺和应用，涉及涂层制备技术领域。该高熵氧化物扩散障薄膜应用在NiW或NiRe合金与NiCr或NiCrAl涂层之间，采用磁控溅射的方式进行制备，其中薄膜包含的元素为Ni、Co、Cr、Y、Ta或Re和O...
该专利属于沈阳理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳理工大学授权不得商用。

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