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基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法技术
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下载基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法的技术资料
文档序号:31016912
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本发明公开了一种基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法,该雪崩光电二极管包括阳极、Ge电极接触层、吸收层、电荷层、倍增层、阴极、衬底层、保护层、多周期布拉格反射镜和光波导,其中,倍增层、电荷层、吸收层、Ge电极接触层及阳...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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