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本发明属于半导体激光器端面镀膜技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法，包括如下步骤：1）对待镀膜的芯片进行Bar条解理，夹条，并快速放进蒸发镀膜设备内，抽真空；2）对芯片的出光腔面进行离子源预清洗处理；3）在芯片的出光腔面上镀...
该专利属于湖北光安伦芯片有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北光安伦芯片有限公司授权不得商用。

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