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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有第一介质层,所述第一介质层内具有第一导电层,且所述第一介质层表面暴露出所述第一导电层顶部表面;在所述第一介质层表面形成牺牲结构,所述牺牲结构内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口,且...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有第一介质层,所述第一介质层内具有第一导电层,且所述第一介质层表面暴露出所述第一导电层顶部表面;在所述第一介质层表面形成牺牲结构,所述牺牲结构内具有暴露出所述第一导电层顶部表面的开口,且...