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本实用新型提供了一种终端有源区同设计的SiC功率器件，涉及SiC功率器件领域，所述终端有源区同设计SiC功率器件中，形成所述元胞结构沟道的沟道注入区和终端区用于形成结终端的结终端注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成。通过在终端区...
该专利属于派恩杰半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派恩杰半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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