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本发明属于铁电薄膜技术领域，本发明提供了一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，制备方法包括将氧化铪基薄膜顺次经过两次退火，得到正交相氧化铪基铁电薄膜；其中，第一次退火的温度为620～740℃，时间为20～70s；第二次退火的温度为300～...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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