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本发明公开了一种单晶硅的制备装置及其使用方法,属于单晶硅制造技术领域,真空熔炼室;分瓣式水冷铜坩埚,设置在所述真空室内;石墨熔化棒,可伸入所述分瓣式水冷铜坩埚中;高频感应线圈,设在所述分瓣式水冷铜坩埚外;石英坩埚,位于所述分瓣式水冷铜坩埚的...该专利属于长沙新立硅材料科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长沙新立硅材料科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种单晶硅的制备装置及其使用方法,属于单晶硅制造技术领域,真空熔炼室;分瓣式水冷铜坩埚,设置在所述真空室内;石墨熔化棒,可伸入所述分瓣式水冷铜坩埚中;高频感应线圈,设在所述分瓣式水冷铜坩埚外;石英坩埚,位于所述分瓣式水冷铜坩埚的...