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本实用新型公开了一种碳基光泵浦半导体高能激光器，包括：碳基材料基板，所述碳基材料基板的一面为工作面，另一面为导热面；光泵浦半导体激光器芯片，所述光泵浦半导体激光器芯片设置在所述碳基材料基板的工作面，所述光泵浦半导体激光器芯片上设有增益区，所...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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