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本发明公开了一种ＦＬＡＳＨ存储器擦写方法，包括以下步骤：（１）设置数据帧结构，每一数据帧内含有８倍数的字节数，存储区域分为Ｎ页；（２）选定最后一个所述数据帧所在页为当前页，若该页已写满则转入下一页Ｉ，将Ｉ页设为当前页，当所述Ｉ页为存储区域中...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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