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具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置制造方法及图纸
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下载具有磁性隧道接合部的薄膜磁体存储装置的技术资料
文档序号:3086492
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在读出数据之前,各位线(BL)及源线(SL)被预充电至电源电压(VDD)。在读出数据时,只在被选存储单元列内,对应的位线(BL)与数据总线(DB)耦合,同时对应的源线(SL)在接地电压(VSS)下被驱动。在非被选存储单元列中,各位线(BL)...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。
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