专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
三菱电机株式会社
>
包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置制造方法及图纸
>技术资料下载
下载包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置的技术资料
文档序号:3086366
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
存储器阵列(10),被划分m行×n列的多个存储单元块(50)。写入数字线(WDL),对各个存储单元块以独立的方式按每个存储单元行进行划分。各写入数字线(WDL),根据通过与写入数字线(WDL)分级配置并由在行方向相邻的多个子块共用的主字线(...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。