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一种改进且新颖的磁性元件（１０；１０’；５０；５０’；８０），它含有许多薄膜层，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。另外还公开了一种通过提供多个薄膜层来构成一种磁性元件（１０）的方法，其中单元端部静磁退...
该专利属于自由度半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过自由度半导体公司授权不得商用。

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