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本发明公开了一种既使用负微分电阻（ＮＤＲ）又使用传统ＦＥＴ的存储单元。一对ＮＤＲ　　ＦＥＴ以锁存配置连接在一起，以便将传送ＦＥＴ所传送的数据值存储到存储节点。采用ＮＤＲ特性，可以利用更少的有源器件实现存储单元。此外，利用传统ＭＯＳ处理步骤，...
该专利属于普罗格瑞森特技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过普罗格瑞森特技术公司授权不得商用。

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