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无隔离器件的MRAM制造技术
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文档序号:3084904
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一种无隔离器件的磁电阻随机存取存储器结构(10),包括非易失性磁电阻元件的多个数据列。参考列(12)包括设置在数据列附近的非易失性磁电阻元件。每个列与电流输送器(16-20)相连。所选数据电流输送器和参考电流输送器(20)与差分放大器(65...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。
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