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揭示了一种对存储器诸如使用负差分电阻（ＮＤＲ）元件的ＳＴＡＭ作强化读写的方法，这是通过选择性控制存储单元中有源元件的偏置实现的。例如在写操作中，将存储单元置于一中间态而增大写速。在一基于ＮＤＲ的实施例中，实现方法是减低对ＮＤＲ　　ＦＥＴ的偏...
该专利属于前进应用科学股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过前进应用科学股份有限公司授权不得商用。

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