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本发明是一种用于编程ＮＶＭ阵列（１００）中的非易失性存储器（“ＮＶＭ”）单元的多阶段方法、电路和系统。本发明可包括控制器（１１０），用于在第一编程阶段（２０００），确定第一组单元的一个或多个单元何时达到或超过第一中间电压，并使电荷泵电路（１...
该专利属于赛芬半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛芬半导体有限公司授权不得商用。

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