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本发明公开一种基于不同空位浓度的氧化锌阻变存储器性能优化方法，具体包括以下步骤：以阻变层作为氧化锌阻变存储器的研究对象，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，构建ZnO单晶胞模型，在此基础上将ZnO单晶胞模型向A、B、C三个方向扩展得到...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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