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一种用于对电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元进行编程的方法，包括在第一时间段内使第一电流通过ReRAM器件，第一电流被选择成形成通过ReRAM器件的泄漏路径，以及在使第一电流通过ReRAM器件之后，在短于第一时间段的第二时间段内使第二电...
该专利属于微芯片技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微芯片技术股份有限公司授权不得商用。

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