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使用MRAM传感器的磁存储系统技术方案
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下载使用MRAM传感器的磁存储系统的技术资料
文档序号:3081662
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本发明涉及一种磁存储系统(1、20),包括信息层(13)以及用于和信息层(13)进行合作的传感器(2、22)。信息层(13)包括组成比特位置阵列的磁比特(4a、4b、4c、4d、24a、24c、24d)图案。比特位置处的比特磁场(3a、3b...
该专利属于NXP股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过NXP股份有限公司授权不得商用。
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