下载使用MRAM传感器的磁存储系统的技术资料

文档序号:3081662

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本发明涉及一种磁存储系统(1、20),包括信息层(13)以及用于和信息层(13)进行合作的传感器(2、22)。信息层(13)包括组成比特位置阵列的磁比特(4a、4b、4c、4d、24a、24c、24d)图案。比特位置处的比特磁场(3a、3b...
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