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本发明涉及一种集成沟槽和体平面栅的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该MOSFET是在传统沟槽栅的基础上，在沟槽栅底部引入体平面栅结构。该体平面栅由源金属﹑栅绝缘介质层﹑栅底部N+源﹑栅底部P电场屏蔽区以及栅底部沟道区组成，且栅...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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